靶中毒的解决办法
（1）采用中频电源或射频电源。
（2）采用闭环控制反应气体的通入量。
（3）采用孪生靶。
（4）控制镀膜模式的变换：在镀膜前，采集靶中毒的迟滞效应曲线，使进气流量控制在产生靶中毒的前沿，确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。
靶表面金属原子溅射比较容易，当把表面变为金属氧化物再溅射就不容易。一般需要射频溅射。离子轰击使靶表面金属原子变得非常活泼，加上靶温升高，使靶表面反应速率大大增加。这时靶面同时进行着溅射和反应生成化合物两种过程。如果溅射速率大于化合物生成率，靶就处于金属溅射态；反之，反应气体压强增加或金属溅射速率减少，靶就可能突然发生化合物形成速率超过溅射速率而停止溅射。为了减轻靶中毒现象，技术人员常用以下方法解决：（1）将反应气体和溅射气体分别送到基片和靶附近，以形成压强梯度；（2）提高排气速率；（3）气体脉冲导入；（4）等离子体监视等。